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消息称三星电子将停产2DNAND 闪存 原有产线用于1c nm DRAM内存制程
三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存,该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAN…
2026年2月26日