良率
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消息称三星电子1c DRAM良率超80% HBM4良率接近60%
业内人士透露，三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，2025年第四季度其良率约为60-70%，如今已显著提升，并有望在5月份左右…
业内人士透露，三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，2025年第四季度其良率约为60-70%，如今已显著提升，并有望在5月份左右…
